- 模拟电子系统设计指南(基础篇):从半导体、分立元件到TI集成电路的分析与实现
- 何宾编著
- 174字
- 2024-01-05 17:18:53
2.2.3 结电势分布
内建电势Vbi表示为:
![](https://epubservercos.yuewen.com/A93590/26763633309316706/epubprivate/OEBPS/Images/35_2.jpg?sign=1739202485-aKyziNFCnbpDSEVIMWFJNP7rSNea2ztE-0-afcb32afc8fdd1c34b3ab0336a99a20d)
由于电子的势能与电势φn (x)的关系为E=-eφ(x),空间电荷区内电子能量 eφFn (或者空穴能量eφFp ) 也与距离具有二次函数关系。与距离相关的二次函数关系的能带如图2.8 所示。在半导体内,导带、价带和本征费米能级随距离而变化。
![](https://epubservercos.yuewen.com/A93590/26763633309316706/epubprivate/OEBPS/Images/35_3.jpg?sign=1739202485-blpAbe0NwQRJvLMBmZ4vJaqn9VsG2dbX-0-75255646a214b67a5ffa3756b0e44b81)
图2.8 热平衡状态下的PN结能带图二
注:∈s等于相对介电常数εr和真空介电常数ε0的乘积,即∈s=εr ×ε0。