- 模拟电子系统设计指南(基础篇):从半导体、分立元件到TI集成电路的分析与实现
- 何宾编著
- 110字
- 2024-01-05 17:18:54
2.3.1 耗尽区宽度
当正偏时,总的耗尽区或空间电荷区的宽度W可表示为:
![](https://epubservercos.yuewen.com/A93590/26763633309316706/epubprivate/OEBPS/Images/37_1.jpg?sign=1739202772-nj1OtBxvvUqsuI6vQxBeDZQpG5ZfZcZX-0-951ae9ffd42d6ea58518c7b6cb5ec4b2)
从式中可知,空间电荷区宽度W随着正向偏压VF的增加而减少。
最大场强εmax与宽度W的关系表示为:
![](https://epubservercos.yuewen.com/A93590/26763633309316706/epubprivate/OEBPS/Images/37_2.jpg?sign=1739202772-LwmzcrfXOZId3lLujZeepS35TaVcd8vo-0-c0eb1a3ed04ca10e027f8a6d3be30da5)
从式中可知,最大电场εmax随着正向偏压VF增加减少,随宽度W增加而减少。
当正偏时,总的耗尽区或空间电荷区的宽度W可表示为:
从式中可知,空间电荷区宽度W随着正向偏压VF的增加而减少。
最大场强εmax与宽度W的关系表示为:
从式中可知,最大电场εmax随着正向偏压VF增加减少,随宽度W增加而减少。