- 模拟电子系统设计指南(基础篇):从半导体、分立元件到TI集成电路的分析与实现
- 何宾编著
- 237字
- 2024-01-05 17:18:56
2.6 温度依赖性
在上一节介绍了电流密度J是反向饱和电流密度 Js的直接函数,与少数载流子的浓度 npo和pno有关,反过来也与成比例,而n i是温度的函数。因此,可以得到:
![](https://epubservercos.yuewen.com/A93590/26763633309316706/epubprivate/OEBPS/Images/40_5.jpg?sign=1739202935-ruGtPK1fPPnket2kKzBEQHPr0VtnnBuO-0-e37a84fa49853c79d61fadaeca796a90)
式中,Eg为电子能级,大小为1.12eV。JS1和JS2与温度T1和T2的关系:
![](https://epubservercos.yuewen.com/A93590/26763633309316706/epubprivate/OEBPS/Images/40_6.jpg?sign=1739202935-mXFLGWZxPqFakdm9crNAhkm0cbamZn8H-0-fd5de7d531318c57ce3311c54037d8d1)
因此,反向饱和电流密度Js对温度敏感,且随温度的增加而迅速增加,如图2.13 (a) 所示。正向电流J是JS和 (EVF/kT) 的函数,也是温度 T 的函数。随着温度的升高,对于同样大小的正向电流时,压降减少,如图2.13 (b) 所示。对于恒定的正向电压,正向工作电流随温度升高而增加。
![](https://epubservercos.yuewen.com/A93590/26763633309316706/epubprivate/OEBPS/Images/40_7.jpg?sign=1739202935-880Hiy1NljQA2o2WG2C9uTT1BmODp01J-0-d59949ca8f50117d9db7d8f843e776da)
图2.13 PN结的温度效应